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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2022年12月15日 设备端受掣肘. 由于碳化硅具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力等优点，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半
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2023年11月12日 碳化硅产业链可以分为衬底、外延、芯片、封装四个环节，其中衬底占总成本达47%，外延占比23%，上游衬底和外延加起来占了70%的成本，这两个环节的专业
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半导体工程师 2024-02-18 09:57 北京. 碳化硅（SiC）具有高频、高效、高功率密度、耐高温、高压的性能特点，主要应用于新能源汽车、轨道交通、光伏发电和工业电源领域。. 以
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2023年2月26日 政策出台，碳化硅设备将加快国产化步伐。 产业链拆解：重点推荐国产衬底磨抛设备和芯片封装固化设备 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳
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碳化硅外延设备. 碳化硅化学气相沉积外延设备. 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时
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2023年4月26日 碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势，晶体生长和切割是产业化瓶颈。 优势：1）高性能：碳化硅相比硅有四大优势：大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击
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2023年2月27日 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料. 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力
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2024年3月12日 碳化硅设备研发、生产、销售企业-苏州优晶半导体科技股份有限公司. 致力于为全球客户提供国际领先的半导体装备、生长工艺和技术服务的综合解决方案. UKING.
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2020年10月21日 碳化硅粉料合成设备. 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真空密封与控制、真空室水冷、真空及测量系统
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2023年2月1日 碳化硅、氮化镓材料的饱和电子漂移速率分别是硅的2.0、2.5倍，因 此碳化硅、氮化镓器件的工作频率大于传统的硅器件。然而，氮化镓材料存在耐热性能较差的缺点，而碳化硅的耐热性和导热性都较好，可以弥补氮化镓器件耐热性较
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2023年8月19日 在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在1.5-2年以上。
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碳化硅化学气相沉积外延设备-纳设智能官方网站-碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺
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2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化。碳化硅材料兼具高性能+低损耗优势，晶体生长和切割是产业化瓶颈。优势：1）高性能：碳化硅相比硅有四大优势：大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场，做成的器件对应有四高性能：高功率、高频率、高温和 ...
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2023年12月18日 2020年，超芯星聚焦单晶生长技术突破，自研全国首台套高速率碳化硅单晶生长设备 ，打破对进口设备的长期依赖。自此，它也成为全国唯一一家同时拥有两种量产长晶技术路线的半导体公司。2021年， 刘欣宇在接受媒体采访时谈到：“中国碳化硅 ...
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2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22 种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状 在我国进行产业升级的浪潮中，SiC材料以其独特的性能得到了越来越多的应用(如: 高功率电力电子 ...
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2023年7月8日 现在6英寸向8英寸扩径的行业趋势明确，如果我们国内设备厂商仍大幅提升6英寸衬底设备产能将面临“投产即落后”的问题。. 所以设备厂商在本阶段应该重点突破和布局8英寸衬底设备产能，才能实现弯道超车。. 碳化硅市场竞争格局. 目前而言，在碳化硅衬底 ...
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2023年5月21日 磨抛设备 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。
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2024年3月12日 苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司经多年努力研发电阻法碳化硅晶体生长设备及工艺，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型⸺UKING ERH ...
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2021年11月7日 使用碳化硅 MOSFET 或碳化硅 MOSFET 与碳化硅 SBD 结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从 96%提升至 99%以上，能量损耗降低 50%以上，设备循环寿命提升 50 倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。
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2024年1月8日 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来76页（附下载）. 报告自由. 最新行业报告库. SiC行业概况：第三代半导体材料性能优越，新能源车等场景带动SiC放量。. 碳化硅（SiC）具有更高热导率、高击穿场强等优点，适用于制作高温、高频、高功率器件，新能源
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2024年1月17日 受益于碳化硅下游市场需求逐步放大，国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划： 一代工艺一代设备，外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%，SiC外延炉是 第三代半导体SiC器件制造的核心装备之一。下游市
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2023年2月27日 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速. 碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料. 与硅基半导体材料相比，碳化硅具备能量损耗低、封装尺寸更小、可实现高频开关以及耐高温、散热能力强的突出优势，适合制作高温、高频、抗
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2022年10月11日 株洲和创中高频设备有限公司主打产品有:碳化硅烧结炉,真空烧结炉,高温真空烧结炉,高温石墨化炉,特种陶瓷烧结炉,真空钎焊炉,气相沉积炉,热压烧结炉,真空裂解炉等成套感应加热设备和非标真空或气氛电热设备等。
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2023年11月29日 项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备 制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设，一期预计投资 21 亿元，建成达产后，可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和 ...
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2023年2月15日 本文从碳化硅外延生长机理出发,结合反应 室设计和材料科学的发展,介绍了化学气相沉积(CVD)法碳化硅外延设备反应室、加热系统和旋转系统等的技术进 展,最后分析了 CVD 法碳化硅外延设备未来的研究重点和发展方向。. 碳化硅(silicon carbide, SiC)作为第
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广州粤升半导体设备有限公司 Guangzhou YS Semiconductor Equipment Co., Ltd. 广州粤升半导体设备有限公司是一家专业研发生产半导体设备的公司，成立于2021年。公司专注于碳化硅外延设备、碳化硅晶体生长设备的研发和生产，助力客户生产高质量的碳化硅 ...
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2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 ...
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2023年7月14日 与此同时，国内外产业模式的差异，技术差距、设备挑战以及国内碳化硅器件中低端“互卷”等问题，都一一成为摆在我国碳化硅产业链发展面前的难题。. 碳化硅“狂飙”. 上文提到，从产业链层面初步划分，整个SiC产业链主要分为衬底、外延、设计、器件和 ...
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2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会. 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。. 今年发布的“‘十四五’规划和 ...
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