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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年3月22日 PVA TePla亮相SEMICONChina2024. “作为PVA TePla在华打造的首款国产碳化硅晶体生长设备，‘SiCN’旨在帮助我们更好地满足本土化需求，为中国市场提供成熟
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2024年3月28日 针对中国市场需求与客户痛点，PVA TePla打造的碳化硅晶体生长设备“SiCN”以自身的四大优势来助力中国半导体产业高质量发展：. 1．定制化系统 ...
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2023年11月12日 碳化硅产业链可以分为衬底、外延、芯片、封装四个环节，其中衬底占总成本达47%，外延占比23%，上游衬底和外延加起来占了70%的成本，这两个环节的专业
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2024年2月18日 其中，Wolfspeed、Coherent、罗姆等国际主要碳化硅厂商使用的晶体生长设备主要为自行研发生产，其他国际主流碳化硅衬底厂商则主要向德国PVA TePla、日本
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苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。 公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设
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2024年3月22日 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展-EMC安规-电子元件技术网. 发布时间：2024-03-22 来源：投稿 责任编
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2022年12月15日 国产厂商齐发力切磨抛设备. 除碳化硅长晶炉设备外，被日本高鸟占据80%以上份额的碳化硅切磨抛设备，成为了上机数控、宇晶股份、大族激光、高测股份等
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2024年3月22日 打造首款国产碳化硅晶体生长设备. 在中国， 电动汽车 和诸多新兴行业的蓬勃发展为碳化硅衬底材料带来广阔机遇。. 碳化硅半导体材料的生产技术日渐成熟稳定，并已形成相当的工业规模。. 作为最早将碳化硅晶体设备引入中国市场的企业之一，德国PVA
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碳化硅化学气相沉积外延设备. 碳化硅外延设备属半导体设备领域，占据第三代半导体产业链上游关键环节。. 我司碳化硅外延设备采用自主创新的结构设计，同时兼容6英寸、4英寸外延片生长，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的中国首台完全自主 ...
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2023年2月26日 《工业母机、碳化硅设备国产化再迎 利好—行业周报》-2023.2.12 《制造业基础核心部件、底层软件高 端自主化战略意义提升—行业点评报 告》-2023.2.7 证 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师） mengpengfei@
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2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产成本，行业内独家实现批量销售，实现国产替代，同时公 司已推出适用于 8 寸碳化硅衬底切割的碳化硅金刚线
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4.3. 露笑科技：碳化硅布局国内领先，定增扩产 24 万片导电型衬底产能 公司成立于 2003 年，为国内最大的专业漆包线生产商之一、及国内领先的蓝宝石长 晶炉生产厂商。依托于蓝宝石业务的积累，向碳化硅“设备——衬底——外延”的 全产业链延伸。
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2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空 ...
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2023年7月14日 碳化硅晶圆制造设备：除了SiC衬底外，晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的关键所在，未来国产SiC 芯片扩产也会受到关键设备的牵制。 由于SiC材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺——包括高温退火炉、高温离子 ...
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2024年3月22日 打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展 发布时间：2024-03-22 来源：投稿 责任编辑：admin 中国，上海 —2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备 ...
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2023年2月16日 半导体与半导体生产设备行业：碳化硅，把握能源升级+技术迭代的成长机遇（33页）.pdf. 【报告导读】近年来，随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发
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2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术. 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。. 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且
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中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，
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2022年12月15日 在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备 为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延 ...
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2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。. 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约1.4t的一氧化碳 (CO ...
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2023年2月11日 行业研究丨深度报告丨半导体与半导体生产设备碳化硅：把握能源升级+技术迭代的成长机遇丨证券研究报告丨报告要点碳化硅相比硅带来的最大变化我们可以总结为“旧结构+新材料”，亦即通过把材料更换为碳化硅解决过去硅基MOSFET在高电压场景下的瓶
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2022年9月6日 三、碳化硅产业链 SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。
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2023年2月1日 子漂移速率，使得碳化硅器件具有极低的导通电阻，导通损耗低；碳化硅具有3倍于硅的禁带宽度，使得碳化硅器件泄漏电流比硅器件大幅减少，从而降低功率损耗；碳化硅器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，开关损耗低，大幅提高实际应用的开关频率。
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2023年8月19日 在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在1.5-2年以上。
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苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设备及工艺，历经5年，于2019年成功研制出6英寸电阻法碳化硅单晶生长设备，经持续工艺优化，目前已推出至第四代机型 ...
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2022年3月22日 掌握了碳化硅晶 片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全 流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅 ...
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2020年10月19日 设备方面：碳化硅生产的高端设备 ，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些 ...
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