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SiC单晶片固结磨料化学机械抛光液设计. 本文的研究对象是6H-SiC,目前6H-SiC主要用于LED照明,在LED领域的强大市场牵引力将促使取代Si成为第三代半导体衬底材料.针对SiC
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2019年6月30日 全日制硕士学位论文Researchofchemicalmechanicalfixed-abrasivepolishingpadofSiCsinglecrystal申请人姓名：刘志响指导教师：苏建修教授学位
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本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结
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摘要：. 为了解决传统SiC化学机械抛光 (CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对
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针对单晶SiC化学机械抛光使用的抛光液，研究了产生芬顿反应Fe、FeO、Fe 2 O 3 、Fe 3 O 4 等4种铁系固相催化剂的效果。 结果发现当Fe 3 O 4 作为催化剂时，SiC表面能够产生明
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本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结
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2024年1月24日 本文重点对传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺进行了阐述与总结。 目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序
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2022年8月17日 当前用于GaN基LED的衬底材料比较多，但是能用于商品化的衬底材料，目前只有蓝宝石（Al2O3）和碳化硅（SiC）衬底。 由于SiC单晶衬底化学稳定性好、导电
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2023年3月6日 针对碳化硅（SiC）基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题，提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法（dry tribochemical
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2024年1月24日 本文重点对传统化学机械抛光技术中的游离磨料和固结磨料工艺以及化学机械抛光的辅助增效工艺进行了阐述与总结。. 目前SiC材料加工工艺主要有以下几道工序：定向切割、晶片粗磨、精研磨、机械抛光和化学机械抛光 (精抛)。. 其中化学机械抛光作为最终
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2023年3月6日 摘要: 针对碳化硅（SiC）基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题，提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法（dry tribochemical mechanical polishing, DTCMP）。. 探究不同工艺参数（磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、抛光盘转速、抛光 ...
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2019年11月3日 SiC单晶片固结磨料化学机械抛光垫研制是一篇优秀的人造超硬度材料的生产论文,教育论文中心提供最新硕士论文下载，包括工业技术论文，化学工业论文，电热工业、高温制品工业论文，人造超硬度材料的生产论文，等学科，四百多万篇优秀论文，欢迎下载
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2019年10月24日 2.3 固结磨料抛光与游离磨粒(三体磨损)相比，固结磨料(二体磨损)的研抛可控性好，能高效获得超精密研抛表面，同时可节省加工时间和成本. 2015年，台湾国立勤益科技大学的Tsai等 [56] 研制了固结金刚石磨粒的抛光垫，在含Al 2 O 3 自由磨粒和KMnO 4 的
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重点研究应用热-化学-机械能量耦合固结磨料研磨盘研磨及热-化学-机械能量耦合固结磨料抛光垫抛光SiC单晶基片过程中在热作用下的微观力学行为、物理化学效应、机械摩擦作用及能量耦合机理,分析其材料去除、平整度和表面形成机理以及表面损伤的产生机理
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本文针对单晶SiC晶片的高硬度、易脆性及强化学惰性导致的薄化与表面的光滑无损倍显困难的工艺问题,利用超声振动辅助技术,研究了超声辅助单晶SiC晶片的自由磨料研磨与化学机械抛光。. 通过理论分析与数值仿真的方式,分别揭示了SiC晶片在上述两种工艺下的 ...
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2019年5月25日 压力下进行化学机械抛光，基于 Fe 和 H O 反应 2 2 （Fenton反应），分解产生了强氧化性的 OH，促进 － 2 单晶SiC CMP 增效技术研究进展 表面氧化生成易于去除的SiO ．. 尽管获得了原子级 2 － － 光滑的表面形貌，但 SiC Si 面的材料去除率＜ 2．1 催化辅助SiC CMP增效 ...
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2024年3月22日 在固结磨料工艺中，由于基于二体磨擦原理，不含磨料的研磨液具有依赖性较小、清洁简单和绿色环保等诸多优点。但工艺上也存在一些不足，例如：在固结磨料工艺处理过程中，采用凸起均布的抛光垫，SiC晶片在抛光垫上形成运动轨迹的密度是不一样的，造成抛光垫的磨损不均和面形恶化，最后 ...
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2022年10月10日 根据 GB /T 30656－2014，4 寸碳化硅单晶衬底加工标准如表2 所示。. 4. 1 抛光技术研究现状 碳化硅晶片的抛光工艺可分为粗抛和精抛，粗抛为机械抛光，目的在于提高抛光的加工效率。. 碳化硅单晶衬底机械抛光的关键研究方向在于优化工艺参数，改善晶片
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本文综合运用正交试验法、单因素试验研究和极差分析的方法,对SiC单晶片进行化学机械抛光试验,介绍和分析抛光液的去除原理,选择并优化抛光液成分含量,以提高研磨膏的材料去除率,改善加工后的表面质量。. 本文采用化学机械抛光工艺方案,以ZYP300型研磨抛光 ...
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2021年11月24日 摘 要：本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响。最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料。结果表明：固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上，固结磨料抛光垫，可大幅度提高材料去除效率。关键词：固结磨料；SiC晶体；化学机械抛光；材料去除率0 引言目前 ...
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2019年12月10日 化学机械抛光 (CMP)是目前实现单晶SiC基片超精密加工的一种常用且有效方法。. 我们综述了单晶SiC基片化学机械抛光加工的研究现状，根据加工原理进行归类并分析了各种类别的优缺点及运用局限，指出了其在化学机械抛光领域的发展前景。. 关键词: 单
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2024年3月22日 在半导体领域中，经过化学机械抛光后SiC单晶片获得超光滑、无缺陷及无损伤表面是高质量外延层生长的决定因素。01、传统化学机械抛光介绍 SiC的传统化学机械抛光按照磨料存在状态可分为游离磨料抛光和固结磨料抛光。一、游离磨料抛光
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2023年3月6日 摘要: 针对碳化硅（SiC）基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题，提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法（dry tribochemical mechanical polishing, DTCMP）。. 探究不同工艺参数（磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、抛光盘转速、抛光 ...
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2022年9月25日 单位代码10467分类号TH161申请号10190141密级硕硕士学位论文晶固结磨料摩擦化学机械抛光单晶SiC基片微区富氧机制学科专业：机械工程研究方向：超精密加工理论与技术申请学位类别：工学硕士作者姓名：祁婉婷导师姓名：苏建修教授二〇二二年
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15. 单晶蓝宝石衬底晶片的化学机械抛光工艺研究. “单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展”出自《哈尔滨工业大学学报》期刊2018年第7期文献，主题关键词涉及有碳化硅 (SiC)、化学机械抛光 (CMP)、电化学机械抛光 (ECMP)、催化辅助、固结磨粒抛光等。. 钛 ...
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本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结磨料抛光垫,可大幅度提高材料去除效率. 关 键 词：
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掺杂剂不同的重掺硅片的抛光特性. 【摘要】： 不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。. 实验中保持抛光时间相同 ...
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2024年3月22日 在半导体领域中，经过化学机械抛光后SiC单晶片获得超光滑、无缺陷及无损伤表面是高质量外延层生长的决定因素。01、传统化学机械抛光介绍 SiC的传统化学机械抛光按照磨料存在状态可分为游离磨料抛光和固结磨料抛光。
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